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IGBT器件高溫反偏試驗(yàn)系統(tǒng)

更新時(shí)間:2025-01-03      點(diǎn)擊次數(shù):1133

       半導(dǎo)體器件的可靠性測(cè)試或試驗(yàn)是半導(dǎo)體生命環(huán)節(jié)的重要部分,是必須完成的一個(gè)流程要求??煽慷鹊亩x是產(chǎn)品在規(guī)定的時(shí)間內(nèi),在特定的使用(環(huán)境)條件下,執(zhí)行特定的性能或功能時(shí)完成任務(wù)的概率(成功概率)或發(fā)生故障的概率。也就是說(shuō),可靠度是指預(yù)期產(chǎn)品銷售后,在使用的壽命期間會(huì)有多少產(chǎn)品失效,同時(shí)也可藉由可靠度的評(píng)估去推估在保固時(shí)間內(nèi)會(huì)有多少比例的退貨產(chǎn)品。而對(duì)于功率器件來(lái)說(shuō),可靠性是指器件在一定時(shí)間內(nèi)、一定條件下運(yùn)行的能力,是功率器件重要的品質(zhì)特性之一。要滿足現(xiàn)代技術(shù)和生產(chǎn)的需要,獲得更高的經(jīng)濟(jì)效益,必須使用高可靠性的產(chǎn)品,這樣設(shè)計(jì)的產(chǎn)品才具有更高的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

       半導(dǎo)體器件高溫反偏試驗(yàn)系統(tǒng)針對(duì)半導(dǎo)體器件的可靠性要求,滿足多種標(biāo)準(zhǔn)的可靠性試驗(yàn)系統(tǒng)。本系統(tǒng)可以完成高溫工作壽命HTOL、溫濕度H3TRB、高溫反偏HTRB和高溫柵偏HTGB的可靠性試驗(yàn)工藝過程的試驗(yàn)。半導(dǎo)體器件高溫反偏試驗(yàn)系統(tǒng),器件的封裝類型:軸向 徑向二極管、TO-247-3 4、TO-3P、TO-220 等,可以根據(jù)需要選擇。

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一、 滿足的試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

lESD51-1

AEC-Q101

GJB128A

MIL-STD-750

JESD22A-108

JESD22A-101

 

二、 滿足的試驗(yàn)器件類型

二極管

 MOSFET

 IGBT

CMOS

IPM 等功率器件

 各類IGBT 模塊

 

三、試驗(yàn)系統(tǒng)的電氣參數(shù)及功能

漏電流范圍:10nA~1A(HTRB、H3TRB)

漏電流范圍:1nA~2mA(HTGB)

試驗(yàn)電壓:10V~6000V(HTRB、HTOL)

試驗(yàn)電壓:±30V-200V(HTGB、H3TRB)

 

四、產(chǎn)品主要特點(diǎn):
試驗(yàn)溫度:采用整個(gè)溫區(qū)為有效試驗(yàn)區(qū)的設(shè)計(jì)方式,確保溫區(qū)在滿載 的條件下每個(gè)插槽溫度的均勻性和穩(wěn)定性。
試驗(yàn)電源:采用輸出接近式小紋波程控直流試驗(yàn)電源,電源輸出速率 可調(diào),且漸近試驗(yàn)電壓值,有效避免由于電源輸出試驗(yàn)電壓過沖而損 傷器件。
試驗(yàn)電壓:無(wú)損激勵(lì)源的偏壓方式,試驗(yàn)電路無(wú)限流電阻,被測(cè)器件 線路無(wú)分壓,確保器件兩端電壓恒定不突變,從而確保試驗(yàn)數(shù)據(jù)的真實(shí)。
試驗(yàn)檢測(cè):高邊輸入端控制通斷,可物理開關(guān)方式剔除異常器件的偏壓源輸入,不影響其它器件,避免限流電阻發(fā)熱碳化或燒毀電路板、避免頻繁更換限流電阻,從而降低使用成                   本;高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),對(duì)數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)實(shí)時(shí)監(jiān)控,確保異常器件能即時(shí)被發(fā)現(xiàn)和相應(yīng)處理。
試驗(yàn)配件:老化板,夾具上無(wú)電阻等發(fā)熱器件,不會(huì)燒毀電阻及 PCB  等,降低使用耗材。


五、 試驗(yàn)系統(tǒng)的容量及擴(kuò)展

試驗(yàn)通道:8/16/24、可擴(kuò)展

MAX 工位數(shù):640/ 1280 /1960

老化板尺寸:280mm×500mm (器件不同會(huì)變化)

器件的封裝類型:軸向/徑向二極管、TO-247-3/4、TO-3P、TO-220 等,可以根據(jù)需要選擇

老化板可以支持新的封裝類型,如D-PAK(252)、D2PAK(263)E-mode、WPAK、POWER-PAK 等。

模塊:IGBT 半橋、全橋等


六、試驗(yàn)系統(tǒng)的其它參數(shù)

供電電源:220V+10%, 50Hz
主體尺寸:W1500×H1740×D1600(mm)
主體重量:800KG
額定功率:20KW
工作溫度:0—40 度

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